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圖片信息
G3R20MT12N圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:G3R20MT12N
  • 原始制造廠商:GeneSiC
  • 技術標準參數:SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載G3R20MT12N的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:G3R20MT12N
  • 制造商:GeneSiC Semiconductor
  • 描述:SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:G3R?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):105A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):15V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):24 毫歐 @ 60A,15V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.69V @ 15mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):219nC @ 15V
  • Vgs(最大值):+20V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5873pF @ 800V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):365W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 器件封裝:SOT-227
  • G3R20MT12N均從GeneSiC代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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