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深圳市南皇電子有限公司長期提供IXFN210N20P（品牌: IXYS）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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IXFN210N20P - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，IXYS代理穩(wěn)定貨源。
圖片信息
IXFN210N20P圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IXFN210N20P
  • 原始制造廠商：IXYS
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IXFN210N20P的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IXFN210N20P
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收購）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：HiPerFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：200V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：188A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：10.5 毫歐 @ 105A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 8mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：255nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：18600pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1070W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 器件封裝：SOT-227B
  • IXFN210N20P均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
    IXYS產(chǎn)品廣泛的應用范圍
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