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圖片信息
IPB036N12N3 G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IPB036N12N3 G
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  • 產品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載IPB036N12N3 G的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:IPB036N12N3 G
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):120V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):180A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):211nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):13800pF @ 60V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片),TO-263CB
  • 供應商器件封裝:PG-TO263-7
  • IPB036N12N3 G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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