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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPB054N06N3 G

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPB054N06N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 58μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：82nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6600pF @ 30V

功率 - 最大值：115W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商器件封裝：PG-TO263-2

IPB054N06N3 G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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