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圖片信息
APT21M100J圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APT21M100J
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管模塊
  • 點擊此處下載APT21M100J的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT21M100J
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):1000V(1kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):21A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):380 毫歐 @ 16A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):260nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:462W
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP
  • APT21M100J均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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