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圖片信息
APTGT75A120D1G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:APTGT75A120D1G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:APTGT75A120D1G
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W D1
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 配置:半橋
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):110A
  • 功率-最大值:357W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
  • 電流-集電極截止(最大值):4mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):5345nF @ 25V
  • 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:D1
  • APTGT75A120D1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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