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圖片信息
APTGV50H60BT3G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APTGV50H60BT3G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
  • 產品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:APTGV50H60BT3G
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:NPT,溝槽型場截止
  • 配置:升壓斬波器,全橋
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):65A
  • 功率-最大值:250W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,50A
  • 電流-集電極截止(最大值):250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:SP3
  • APTGV50H60BT3G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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    除Microsemi外,我司還在以下品牌具有優勢:Intel | IDT | Freescale | Exar | Dialog |

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