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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：PMPB29XNE,115

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

NXP恩智浦完整型號：PMPB29XNE,115

制造廠家名稱：NXP Semiconductors

描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：33 毫歐 @ 5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1150pF @ 15V

功率 - 最大值：1.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：6-UDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-DFN2020MD （2x2）

PMPB29XNE,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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