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圖片信息
FDB3652圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:FDB3652
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載FDB3652的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:FDB3652
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:PowerTrench?
  • 零件狀態:不適用於新設計
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):9A(Ta),61A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):16 毫歐 @ 61A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):53nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2880pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):150W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK
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