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圖片信息
FDMD86100圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:FDMD86100
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載FDMD86100的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:FDMD86100
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:PowerTrench?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)共源
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):100V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):10A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):10.5 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2060pF @ 50V
  • 功率-最大值:2.2W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerWDFN
  • FDMD86100均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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