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深圳市南皇電子有限公司長期提供NGTD30T120F2WP（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NGTD30T120F2WP

技術標準參數：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NGTD30T120F2WP

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電流-集電極脈沖(Icm)：200A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，40A

功率-最大值：-

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關）值：-

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：模具

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