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圖片信息
NTB30N06LG圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NTB30N06LG
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載NTB30N06LG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NTB30N06LG
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):30A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 15A,5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V
  • Vgs(最大值):±15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1150pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):88.2W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK
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