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圖片信息
NVMD6P02R2G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NVMD6P02R2G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數:MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載NVMD6P02R2G的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:NVMD6P02R2G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 個 P 溝道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):4.8A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):33 毫歐 @ 6.2A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1700pF @ 16V
  • 功率-最大值:750mW
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  • NVMD6P02R2G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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