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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGW30N120KD（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGW30N120KD

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：IGBT 1200V 60A 220W TO247

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGW30N120KD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：100A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，20A

功率-最大值：220W

開關能量：2.4mJ（開），4.3mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：105nC

25°C時Td（開/關）值：36ns/251ns

測試條件：960V，20A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：84ns

工作溫度：-55°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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