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K4A4G165WE-BIRC - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術支持,三星半導體代理穩定貨源。
圖片信息
K4A4G165WE-BIRC圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:K4A4G165WE-BIRC
  • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
  • 技術標準參數:SAMSUNG DRAM NAND
  • 產品應用分類:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
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  • 技術參數詳解:
  • 三星芯片型號:K4A4G165WE-BIRC
  • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:雙倍數據率同步動態隨機存儲器
  • 容量:4Gb
  • 架構:256M x 16
  • 速率:2400 Mbps
  • 工作電壓:1.2 V
  • 工作溫度:-40 ~ 95 °C
  • 封裝:96FBGA
  • 產品狀態:批量生產
  • K4A4G165WE-BIRC均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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