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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：M474A1G43EB1-CPB

技術標準參數：SAMSUNG DRAM NAND

產品應用分類：模塊

現貨供應，最快當日出貨，滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求！

技術參數詳解：

三星模塊型號：M474A1G43EB1-CPB

制造商：SAMSUNG（三星半導體）

功能類別：模塊

DDR：四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器

DIMM 類型：ECC SODIMM

容量：8GB

內存區塊組織：2R x 8

速率：2133 Mbps

工作電壓：1.2 V

組件成分：(512M x 8) x 18

M474A1G43EB1-CPB均從三星半導體代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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