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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供RN1110MFV(TL3,T)（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

RN1110MFV(TL3,T) - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：RN1110MFV(TL3,T)

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)温珐o預(yù)偏壓式晶體管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：RN1110MFV(TL3,T)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列：-

晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：4.7k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：-

不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，5V

不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

頻率 - 躍遷：-

功率 - 最大值：150mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：SOT-723

供應(yīng)商器件封裝：VESM

RN1110MFV(TL3,T)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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