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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：XPN9R614MC,L1XHQ

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數：MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：XPN9R614MC,L1XHQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：U-MOSVI

零件狀態：有源

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時電流-連續漏極(Id)：40A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9.6 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：64nC @ 10V

Vgs（最大值）：+10V，-20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：840mW（Ta），100W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.6）

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