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圖片信息
SIZF906ADT-T1-GE3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SIZF906ADT-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術標準參數:MOSFET DUAL N-CHAN 30V
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SIZF906ADT-T1-GE3的原廠技術規格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • 制造商產品型號:SIZF906ADT-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET DUAL N-CHAN 30V
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET? Gen IV
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 個 N 通道(雙),肖特基
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):27A(Ta),60A(Tc),52A(Ta),60A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.8 毫歐 @ 15A,10V,1.17 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V,200nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2000pF @ 15V,8200pF @ 15V
  • 功率-最大值:4.5W(Ta),38W(Tc),5W(Ta),83W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerWDFN
  • SIZF906ADT-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
  • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
    Vishay產品廣泛的應用范圍
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