GeneSiC發(fā)布6.5kV碳化硅MOSFET，在提供前所未有的性能水平方面處于領(lǐng)先地位, 牽引等中壓功率轉(zhuǎn)換應用的效率和可靠性, 脈沖電源和智能電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施.
GeneSiC半導體, 廣泛的碳化硅的先驅(qū)和全球供應商 (碳化硅) 功率半導體, 今天宣布宣布立即供貨6.5kV SiC MOSFET裸芯片– G2R300MT65-CAL和G2R325MS65-CAL. 利用該技術(shù)的全碳化硅模塊即將發(fā)布. 預計應用將包括牽引力, 脈沖功率, 智能電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和其他中壓功率轉(zhuǎn)換器.
G2R300MT65-CAL – 6.5kV300mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片
G2R325MS65-CAL – 6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (與集成肖特基) 裸芯片
G2R100MT65-CAL – 6.5kV100mΩG2R™SiC MOSFET裸芯片
GeneSiC的創(chuàng)新特色是SiC雙注入金屬氧化物半導體 (場效應管) 結(jié)勢壘肖特基器件結(jié)構(gòu) (JBS) 整流器集成到SiC DMOSFET單元電池中. 這種領(lǐng)先的功率器件可用于下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的各種功率轉(zhuǎn)換電路中. 其他重要優(yōu)勢包括更高效的雙向性能, 溫度獨立開關(guān), 低開關(guān)損耗和傳導損耗, 降低冷卻要求, 出色的長期可靠性, 易于并聯(lián)設(shè)備并節(jié)省成本. GeneSiC的技術(shù)不僅具有出色的性能，而且還具有減少功率轉(zhuǎn)換器中SiC凈材料足跡的潛力.
“GeneSiC的6.5kV SiC MOSFET在6英寸晶圓上設(shè)計和制造，以實現(xiàn)低導通電阻, 最好的質(zhì)量, 和卓越的性價比指標. 下一代MOSFET技術(shù)可提供出色的性能, 在中壓功率轉(zhuǎn)換應用中具有出色的耐用性和長期可靠性。” 說過 博士. 西達斯·孫達雷森, GeneSiC代理商.
GeneSiC的6.5kV G2R™SiC MOSFET技術(shù)特性 –
高雪崩 (統(tǒng)計研究所) 和短路堅固性
上級QG 設(shè)DS(上) 品質(zhì)因數(shù)
溫度無關(guān)的開關(guān)損耗
低電容和低柵極電荷
在所有溫度下?lián)p耗低
常關(guān)穩(wěn)定工作溫度高達175°C
+20 V / -5 V門驅(qū)動
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