GeneSiC半導(dǎo)體, 碳化硅的先驅(qū)和全球供應(yīng)商 (碳化硅) 功率半導(dǎo)體器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性價比指標(biāo)樹立了新的標(biāo)桿, 行業(yè)領(lǐng)先的浪涌電流和雪崩穩(wěn)定性, 和高品質(zhì)的制造.
“GeneSiC 是最早在美國商業(yè)化供應(yīng) SiC 肖特基整流器的 SiC 制造商之一。 2011. 經(jīng)過十多年為業(yè)界提供高性能、高品質(zhì)的碳化硅整流器, 我們很高興發(fā)布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業(yè)領(lǐng)先性能的二極管，以滿足服務(wù)器/電信電源和電池充電器等應(yīng)用中的高效率和功率密度目標(biāo). 使我們的第 5 代產(chǎn)品的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二極管在同類產(chǎn)品中脫穎而出的是低內(nèi)置電壓 (也稱為拐點電壓);它可以在所有負(fù)載條件下實現(xiàn)最低的二極管傳導(dǎo)損耗 - 對于需要高效能源使用的應(yīng)用至關(guān)重要. 與其他競爭對手的 SiC 二極管相比，同樣設(shè)計用于提供低拐點特性, 我們的 Gen5 二極管設(shè)計的另一個特點是它們?nèi)匀槐３指咚降难┍?(UIL) 我們的客戶對 GeneSiC 的 Gen3 所期望的堅固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 博士說. 西達斯·孫達雷森, GeneSiC半導(dǎo)體技術(shù)副總裁.
特征 –
低內(nèi)置電壓 – 所有負(fù)載條件下的最低傳導(dǎo)損耗
優(yōu)異的功績 – 質(zhì)量控制 x VF
最佳性價比
增強的浪涌電流能力
100% 雪崩 (UIL) 已測試
低熱阻適用于較冷的操作
零正向和反向恢復(fù)
溫度無關(guān)的快速開關(guān)
VF 的正溫度系數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域 –
功率因數(shù)校正中的升壓二極管 (全氟化合物)
服務(wù)器和電信電源
太陽能逆變器
不間斷電源 (UPS)
電池充電器
隨心所欲 / 逆變器中的反并聯(lián)二極管
GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 碳化硅肖特基 MPS™
GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™
GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 碳化硅肖特基 MPS™
所有設(shè)備均可通過授權(quán)GeneSiC代理商購買
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