GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產品的堅固性和質量. 系統(tǒng)優(yōu)勢包括工作溫度下的低通態(tài)下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統(tǒng)尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優(yōu)化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經過優(yōu)化，可在所有工作條件和超快開關速度下以最低功耗運行. 與當代 SiC MOSFET 相比，這些器件具有明顯更好的性能水平.
750V G3R 碳化硅MOSFET
“高效能源使用已成為下一代功率轉換器的關鍵交付物，而 SiC 功率器件繼續(xù)成為推動這場革命的關鍵組件. 經過多年的開發(fā)工作，以實現(xiàn)最低的導通電阻和穩(wěn)健的短路和雪崩性能, 我們很高興發(fā)布業(yè)界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的效率, 太陽能逆變器等應用中的功率密度和質量目標, EV 車載充電器和服務器/電信電源. 有保證的質量, 由快速周轉和汽車合格的大批量制造支持，進一步增強了他們的價值主張. ” 博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.
特征 –
業(yè)界最低的柵極電荷 (問G) 和內部柵極電阻 (RG(情報局))
最低 RDS(上) 隨溫度變化
低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)
100% 雪崩 (UIL) 生產過程中經過測試
行業(yè)領先的短路耐受能力
具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR
高且穩(wěn)定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件
具有更低熱阻和更低振鈴的先進封裝技術
R的制造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)
全面的產品組合和更安全的供應鏈，符合汽車標準的大批量制造
應用領域 –
太陽的 (光伏) 逆變器
電動汽車 / HEV車載充電器
服務器 & 電信電源
不間斷電源 (UPS)
DC-DC轉換器
開關電源 (開關電源)
儲能和電池充電
感應加熱
GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應用 (AEC-q101) 和PPAP功能.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿易碳化硅MOSFET
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿易碳化硅MOSFET
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿易碳化硅MOSFET
所有設備均可通過授權GeneSiC代理商購買
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