Powerex 的雙 IGBT 模塊設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)應(yīng)用。每個(gè)模塊由兩個(gè)采用半橋配置的 IGBT 晶體管組成，每個(gè)晶體管都有一個(gè)反向連接的超快恢復(fù)續(xù)流二極管。所有組件和互連都與散熱底板隔離，提供簡(jiǎn)化的系統(tǒng)組裝和熱管理。
第 6 代 S 系列 IGBT 是早期第 5 代 A 系列和 NF 系列 IGBT 的改進(jìn)版本，采用兼容封裝。他們使用第 6 代載流子存儲(chǔ)溝槽柵雙極晶體管 (CSTBT) 硅來(lái)顯著提高性能。
第六代硅特性
Tjmax = 175 °C – 更高的工作溫度
柵極驅(qū)動(dòng)電流降低 40% – 降低柵極驅(qū)動(dòng)器要求
Vcesat 降低 20%
關(guān)斷損失減少 25%
FWD 正向電壓 (Vf) 降低 20%
總損失減少約 20%
應(yīng)用
工業(yè)逆變器
UPS系統(tǒng)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
燃料電池逆變器
風(fēng)力逆變器
太陽(yáng)能逆變器
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